IRLB8748PBF vs BSC034N06NSATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLB8748PBF por Infineon e BSC034N06NSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLB8748PBF BSC034N06NSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,68 $0,65
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 92 A 100 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.8 mOhm 3.4 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC typical [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation (PD) at TC=25C 75 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (junction) -55C to +150C
Package Type TO-220AB through-hole —
Tipo de montagem Through Hole Surface Mount
Technology Family StrongIRFET / HEXFET —
Channel Type N-Channel —
Logic-Level Gate Drive Yes (optimized for 5V VGS) —
Status RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant
Qualification Standard JEDEC (Industrial market per datasheet) —
Polarity — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25C — 74 W
Technology — OptiMOS 5
Encapsulamento — PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]

Fichas técnicas e recursos

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