IRLL024NTRPBF vs IRLML0030TRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRLL024NTRPBF par Infineon et IRLML0030TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRLL024NTRPBF | IRLML0030TRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,22 | $0,13 |
| Polarity | N-Channel | — |
| FET Type | MOSFET, Metal Oxide | N-Channel |
| Operating Mode | Enhancement Mode | — |
| V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 3.1 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 4.4 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 0.065 ohm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 10.4 nC | 3.6 nC typical |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic Level (5 V drive capable) | — |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Ta | 1.0 W | — |
| Maximum Operating Junction Temperature | 175 C | — |
| Boîtier | SOT-223 (4-pin) | Micro3 / SOT-23 (3-pin) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET Power MOSFET | IR HEXFET Power MOSFET |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 5.3 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 27 mOhm at VGS=4.5V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | Logic-level (5 V optimized) |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 1.3 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +150C |
| Niveau MSL | — | 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) |
| Soldering | — | Wave-solder capable |
| Qualification | — | JEDEC standard |