IRLML2060TRPBF vs BSR802NL6327HTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRLML2060TRPBF par Infineon et BSR802NL6327HTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRLML2060TRPBF | BSR802NL6327HTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,13 | $0,15 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 1.2 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 4.8 A | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | +/- 12 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.8 V typical | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| RDS(on) max at VGS=10V | 480 mOhm | — |
| RDS(on) max at VGS=4.5V | 650 mOhm (typical 580 mOhm) | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 1.25 W | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthetaJA) | 100 C/W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +150C | -55C to +150C |
| Boîtier | SOT-23 (Micro3, 3-pin) | PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR HEXFET (Trench Gate) | OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Sans halogène | Yes | — |
| Niveau MSL | MSL1 | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSR802NL6327HTSA1 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) max | — | 3.7 A (Ta=25C) |
| Power Dissipation (PD) max | — | 500 mW (Ta=25C) |
| On-Resistance (RDS(on)) typ | — | 23 mOhm @ VGS=4.5 V |
| Qualification | — | Automotive |
| Nombre de broches | — | 3 |