IRLML2060TRPBF vs BSR802NL6327HTSA1 比較

詳細な並列比較: IRLML2060TRPBF メーカー: Infineon および BSR802NL6327HTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRLML2060TRPBF IRLML2060TRPBF - 60V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2060TRPBF - 60V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2060TRPBF ✓ 生産中
Infineon
BSR802NL6327HTSA1 BSR802NL6327HTSA1 - 20V N-Ch 3.7A OptiMOS 2 MOSFET | Infineon

BSR802NL6327HTSA1 - 20V N-Ch 3.7A OptiMOS 2 MOSFET | Infineon

BSR802NL6327HTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRLML2060TRPBF BSR802NL6327HTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.13 $0.15
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.2 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 4.8 A —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/- 12 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.8 V typical [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
RDS(on) max at VGS=10V 480 mOhm —
RDS(on) max at VGS=4.5V 650 mOhm (typical 580 mOhm) —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.25 W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthetaJA) 100 C/W —
動作接合温度 -55C to +150C -55C to +150C
パッケージ SOT-23 (Micro3, 3-pin) PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET (Trench Gate) OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET)
RoHS ステータス Compliant Compliant
ハロゲンフリー Yes —
MSLレベル MSL1 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSR802NL6327HTSA1
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 20 V
Continuous Drain Current (ID) max — 3.7 A (Ta=25C)
Power Dissipation (PD) max — 500 mW (Ta=25C)
On-Resistance (RDS(on)) typ — 23 mOhm @ VGS=4.5 V
Qualification — Automotive
ピン数 — 3

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