IRLML2803TRPBF vs IRLML0030TRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRLML2803TRPBF par Infineon et IRLML0030TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRLML2803TRPBF | IRLML0030TRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,13 | $0,13 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IRLML2803TRPBF | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | IR MOSFET Generation V | IR HEXFET Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 1.2 A | 5.3 A |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V | 250 mOhm maximum | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] | Logic-level (5 V optimized) |
| Gate Charge (Qg) | 3.3 nC typical | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 540 mW | 1.3 W |
| Boîtier | Micro3 / SOT-23 (3-pin) | Micro3 / SOT-23 (3-pin) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (TJ) | -55C to +150C |
| Gate Drive Level | Logic-level (driven from 3.3V / 5V) | — |
| Niveau MSL | 1 | 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS Compliance | Compliant, Halogen-Free | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 27 mOhm at VGS=4.5V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 3.6 nC typical |
| Soldering | — | Wave-solder capable |
| Qualification | — | JEDEC standard |
| Statut RoHS | — | Compliant |