IRLML2803TRPBF vs IRLML6346TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLML2803TRPBF par Infineon et IRLML6346TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLML2803TRPBF IRLML6346TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,13 $0,18
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRLML2803TRPBF —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Technology IR MOSFET Generation V HEXFET Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.2 A —
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V 250 mOhm maximum —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Gate Charge (Qg) 3.3 nC typical —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 540 mW —
Boîtier Micro3 / SOT-23 (3-pin) Micro3 / SOT-23
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (TJ) —
Gate Drive Level Logic-level (driven from 3.3V / 5V) —
Niveau MSL 1 1
RoHS Compliance Compliant, Halogen-Free —
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) — 3.4 A (TA=25C)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max @ VGS=2.5V — 63 mOhm
RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Drive Capability — 2.5V logic-level
Maximum Power Dissipation (PD) — 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4)
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +150C
Lead-Free Finish — Yes (PBF suffix)
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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