IRLML2803TRPBF vs IRLML6346TRPBF 比較
詳細な並列比較: IRLML2803TRPBF メーカー: Infineon および IRLML6346TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | IRLML2803TRPBF | IRLML6346TRPBF |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.13 | $0.18 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IRLML2803TRPBF | — |
| トランジスタタイプ | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | IR MOSFET Generation V | HEXFET Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 1.2 A | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V | 250 mOhm maximum | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] | — |
| Gate Charge (Qg) | 3.3 nC typical | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 540 mW | — |
| パッケージ | Micro3 / SOT-23 (3-pin) | Micro3 / SOT-23 |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度範囲 | -55C to +150C (TJ) | — |
| Gate Drive Level | Logic-level (driven from 3.3V / 5V) | — |
| MSLレベル | 1 | 1 |
| RoHS Compliance | Compliant, Halogen-Free | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 3.4 A (TA=25C) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| RDS(on) max @ VGS=2.5V | — | 63 mOhm |
| RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Gate Drive Capability | — | 2.5V logic-level |
| Maximum Power Dissipation (PD) | — | 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) |
| 動作接合温度 | — | -55C to +150C |
| Lead-Free Finish | — | Yes (PBF suffix) |
| RoHS ステータス | — | Compliant |