IRLML6246TRPBF vs IRLHS6242TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLML6246TRPBF par Infineon et IRLHS6242TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLML6246TRPBF IRLHS6242TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,11 $0,12
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRLML6246TRPBF —
Technology IR MOSFET (HEXFET Power MOSFET) HEXFET (trench MOSFET)
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V 20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 4.1 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V 46 mOhm 11.7 mΩ
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=2.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.1 V (logic-level) —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] —
Power Dissipation (Ta=25C) 1.3 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction) —
Boîtier SOT-23 (Micro3) 6-PQFN (2x2) / DFN2020 with exposed pad
Type de montage Surface Mount Surface Mount
RoHS Compliance Yes (Pb-free) —
Sans halogène Yes —
Niveau MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±12 V
Continuous Drain Current (TA) — 10 A
Continuous Drain Current (TC) — 12 A
Total Gate Charge (Qg) — 14 nC
Power Dissipation (TA) — 1.98 W
Power Dissipation (TC) — 9.6 W
Température de fonctionnement — -55°C to +150°C
Gate Drive Level — Logic-level (4.5V); 2.5V-capable
Qualification — JEDEC standard

Fiches techniques et ressources

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