IRLML6246TRPBF vs IRLHS6242TRPBF Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IRLML6246TRPBF от Infineon и IRLHS6242TRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | IRLML6246TRPBF | IRLHS6242TRPBF |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,11 | $0,12 |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Part Number | IRLML6246TRPBF | — |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET Power MOSFET) | HEXFET (trench MOSFET) |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 20 V | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 4.1 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | 46 mOhm | 11.7 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=2.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 1.1 V (logic-level) | — |
| Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] | — |
| Power Dissipation (Ta=25C) | 1.3 W | — |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +150C (junction) | — |
| Корпус | SOT-23 (Micro3) | 6-PQFN (2x2) / DFN2020 with exposed pad |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS Compliance | Yes (Pb-free) | — |
| Без галогенов | Yes | — |
| Уровень MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±12 V |
| Continuous Drain Current (TA) | — | 10 A |
| Continuous Drain Current (TC) | — | 12 A |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 14 nC |
| Power Dissipation (TA) | — | 1.98 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 9.6 W |
| Рабочая температура | — | -55°C to +150°C |
| Gate Drive Level | — | Logic-level (4.5V); 2.5V-capable |
| Qualification | — | JEDEC standard |