IRLML6246TRPBF vs IRLHS6242TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLML6246TRPBF por Infineon e IRLHS6242TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLML6246TRPBF IRLHS6242TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,11 $0,12
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRLML6246TRPBF —
Technology IR MOSFET (HEXFET Power MOSFET) HEXFET (trench MOSFET)
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V 20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 4.1 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V 46 mOhm 11.7 mΩ
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=2.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.1 V (logic-level) —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] —
Power Dissipation (Ta=25C) 1.3 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction) —
Encapsulamento SOT-23 (Micro3) 6-PQFN (2x2) / DFN2020 with exposed pad
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
RoHS Compliance Yes (Pb-free) —
Livre de halogênio Yes —
Nível MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±12 V
Continuous Drain Current (TA) — 10 A
Continuous Drain Current (TC) — 12 A
Total Gate Charge (Qg) — 14 nC
Power Dissipation (TA) — 1.98 W
Power Dissipation (TC) — 9.6 W
Temperatura de operação — -55°C to +150°C
Gate Drive Level — Logic-level (4.5V); 2.5V-capable
Qualification — JEDEC standard

Fichas técnicas e recursos

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