IRLR2705TRPBF vs IRLR2705TRLPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRLR2705TRPBF par Infineon et IRLR2705TRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRLR2705TRPBF | IRLR2705TRLPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,36 | $0,32 |
| FET Type | N-Channel MOSFET, Metal Oxide | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 28 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | [DATA_NEEDED: ID at TA=25C with 1in2 copper] | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 40 mOhm | — |
| RDS(on) Max at VGS=5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V] | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS absolute max, +/-V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic-Level (compatible with 4V drive) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 16.7 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 68 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | [DATA_NEEDED: PD at TA=25C with 1in2 copper] | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +175C | — |
| Boîtier | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET generation 5) | IR MOSFET (HEXFET, 5th generation) |
| Avalanche Rated | Yes | Yes (fully avalanche rated) |
| Lead-Free / RoHS | Yes (Pb-free, RoHS compliant) | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating per JEDEC J-STD-020] | 1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH) |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET (HexFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 28 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 40 mOhm |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.0 V to 2.0 V (logic-level) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 68 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +175C |
| Lead-Free / RoHS Status | — | Lead-Free, RoHS Compliant |
| Configuration | — | Single N-Channel |