IRLR2705TRPBF vs IRLR2705TRLPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRLR2705TRPBF от Infineon и IRLR2705TRLPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF - 55V 28A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR2705TRPBF - 55V 28A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR2705TRPBF ✓ Активен
Infineon
IRLR2705TRLPBF IRLR2705TRLPBF - 55V N-Channel HexFET MOSFET, DPAK | Infineon

IRLR2705TRLPBF - 55V N-Channel HexFET MOSFET, DPAK | Infineon

IRLR2705TRLPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRLR2705TRPBF IRLR2705TRLPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,36 $0,32
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 28 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C [DATA_NEEDED: ID at TA=25C with 1in2 copper] —
RDS(on) Max at VGS=10V 40 mOhm —
RDS(on) Max at VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS absolute max, +/-V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-Level (compatible with 4V drive) —
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 68 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C [DATA_NEEDED: PD at TA=25C with 1in2 copper] —
Рабочая температура перехода -55C to +175C —
Корпус TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET generation 5) IR MOSFET (HEXFET, 5th generation)
Avalanche Rated Yes Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free, RoHS compliant) —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL rating per JEDEC J-STD-020] 1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH)
Тип транзистора — N-Channel MOSFET (HexFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 28 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 40 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.0 V (logic-level)
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 68 W
Диапазон рабочих температур — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS Status — Lead-Free, RoHS Compliant
Configuration — Single N-Channel

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену