IRLR2905TRPBF vs IRFR3607TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLR2905TRPBF par Infineon et IRFR3607TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLR2905TRPBF IRFR3607TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,61 $0,39
FET Type N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) IR HEXFET (planar DMOS)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 75 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 27 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] 4 V
Gate Charge (Qg) 32 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Gate Drive Logic-level compatible —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 56 A
Calculated Die Drain Current — 80 A
On-State Resistance (RDS(on)) — 9 mOhm @ VGS=10V, ID=46A
Total Gate Charge (Qg) — 56 nC
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
Power Dissipation (PD, Tc) — 140 W
Thermal Resistance (RthJC) — 1.0 C/W
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C (TJ max 175C per datasheet convention)
Avalanche SOA — Fully characterized
RoHS / Lead-Free — Compliant / Pb-free (PBF suffix, JESD-609 e3)

Fiches techniques et ressources

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