IRLR2905TRPBF vs IRFR3607TRPBF Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IRLR2905TRPBF por Infineon e IRFR3607TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IRLR2905TRPBF | IRFR3607TRPBF |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,61 | $0,39 |
| FET Type | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) | IR HEXFET (planar DMOS) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 42 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 27 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | 4 V |
| Gate Charge (Qg) | 32 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 110 W | — |
| Temperatura de junção de operação | -55C to +175C | — |
| Encapsulamento | TO-252AA (DPAK), surface mount | TO-252AA (DPAK) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes / Compliant | — |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 56 A |
| Calculated Die Drain Current | — | 80 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 9 mOhm @ VGS=10V, ID=46A |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 56 nC |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) Max | — | +/-20 V |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 140 W |
| Thermal Resistance (RthJC) | — | 1.0 C/W |
| Faixa de temperatura de operação | — | -55C to +175C (TJ max 175C per datasheet convention) |
| Avalanche SOA | — | Fully characterized |
| RoHS / Lead-Free | — | Compliant / Pb-free (PBF suffix, JESD-609 e3) |