IRLR3636TRLPBF vs IRLR3114ZTRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLR3636TRLPBF par Infineon et IRLR3114ZTRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLR3636TRLPBF IRLR3114ZTRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,74 $0,46
FET Type N-Channel MOSFET —
Technology IR HEXFET® (IR MOSFET™) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) 50 A —
Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) 32 A [DATA_NEEDED: exact TC=100°C ID rating] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM rating] 130 A
RDS(on) Max @ VGS=10V 6.8 mΩ —
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.5 V (logic-level) 2.5 V (typ)
Total Gate Charge (QG) 33 nC —
Power Dissipation (PD, TC=25°C) 143 W —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C (TJ) —
Boîtier TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK) surface mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Avalanche Rated Yes (per Infineon datasheet family) —
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) — 42 A
Continuous Drain Current (ID, Tc=100 C) — 30 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — 16 V
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.5 mOhm
On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5V — 4.9 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 40 nC @ VGS=4.5 V
Input Capacitance (Ciss) — 3.81 nF
Power Dissipation (Pd, Tc=25 C) — 140 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +175 C
Nombre de broches — 3 (2 + tab)
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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