IRLR3636TRLPBF vs IRLR3114ZTRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRLR3636TRLPBF por Infineon y IRLR3114ZTRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRLR3636TRLPBF IRLR3114ZTRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,74 $0,46
FET Type N-Channel MOSFET —
Technology IR HEXFET® (IR MOSFET™) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) 50 A —
Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) 32 A [DATA_NEEDED: exact TC=100°C ID rating] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM rating] 130 A
RDS(on) Max @ VGS=10V 6.8 mΩ —
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.5 V (logic-level) 2.5 V (typ)
Total Gate Charge (QG) 33 nC —
Power Dissipation (PD, TC=25°C) 143 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C (TJ) —
Encapsulado TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK) surface mount
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Avalanche Rated Yes (per Infineon datasheet family) —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) — 42 A
Continuous Drain Current (ID, Tc=100 C) — 30 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — 16 V
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.5 mOhm
On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5V — 4.9 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 40 nC @ VGS=4.5 V
Input Capacitance (Ciss) — 3.81 nF
Power Dissipation (Pd, Tc=25 C) — 140 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 C to +175 C
Número de pines — 3 (2 + tab)
Estado RoHS — Compliant

Hojas de datos y recursos

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