IRLR3636TRLPBF vs IRLR3114ZTRPBF 비교
다음의 상세 나란히 비교: IRLR3636TRLPBF 제조: Infineon 및 IRLR3114ZTRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IRLR3636TRLPBF | IRLR3114ZTRPBF |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.74 | $0.46 |
| FET Type | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | IR HEXFET® (IR MOSFET™) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) | 50 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) | 32 A [DATA_NEEDED: exact TC=100°C ID rating] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM rating] | 130 A |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | 6.8 mΩ | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.5 V (logic-level) | 2.5 V (typ) |
| Total Gate Charge (QG) | 33 nC | — |
| Power Dissipation (PD, TC=25°C) | 143 W | — |
| 동작 온도 범위 | -55 °C to +175 °C (TJ) | — |
| 패키지 | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) surface mount |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix) | — |
| Avalanche Rated | Yes (per Infineon datasheet family) | — |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) | — | 42 A |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=100 C) | — | 30 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 16 V |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 4.5 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5V | — | 4.9 mOhm |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 40 nC @ VGS=4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 3.81 nF |
| Power Dissipation (Pd, Tc=25 C) | — | 140 W |
| 동작 접합 온도 | — | -55 C to +175 C |
| 핀 수 | — | 3 (2 + tab) |
| RoHS 상태 | — | Compliant |