IRLR3636TRLPBF vs IRLR3410TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLR3636TRLPBF par Infineon et IRLR3410TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLR3636TRLPBF IRLR3410TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,74 $0,81
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel
Technology IR HEXFET® (IR MOSFET™) HEXFET (IR MOSFET, 5th generation)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) 50 A —
Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) 32 A [DATA_NEEDED: exact TC=100°C ID rating] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM rating] —
RDS(on) Max @ VGS=10V 6.8 mΩ —
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.5 V (logic-level) —
Total Gate Charge (QG) 33 nC —
Power Dissipation (PD, TC=25°C) 143 W —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C (TJ) -55C to +175C (junction)
Boîtier TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) Yes (PBF suffix)
Avalanche Rated Yes (per Infineon datasheet family) —
Drain-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 17 A
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 79 W
On-Resistance RDS(on) max — 105 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) — Logic-level (drive ~4.5V)
Total Gate Charge (Qg) — 22.7 nC
Niveau MSL — 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH)
Drain Tab Connection — Tab electrically tied to Drain
Polarity — N-Channel enhancement mode

Fiches techniques et ressources

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