IRLR3636TRLPBF vs IRLR3636TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLR3636TRLPBF par Infineon et IRLR3636TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLR3636TRLPBF IRLR3636TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,74 $2,38
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology IR HEXFET® (IR MOSFET™) IR HEXFET / IR MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) 50 A —
Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) 32 A [DATA_NEEDED: exact TC=100°C ID rating] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM rating] —
RDS(on) Max @ VGS=10V 6.8 mΩ —
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.5 V (logic-level) —
Total Gate Charge (QG) 33 nC —
Power Dissipation (PD, TC=25°C) 143 W —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C (TJ) -55C to +175C
Boîtier TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Avalanche Rated Yes (per Infineon datasheet family) —
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 60 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 25C — 50 A
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 100C — [DATA_NEEDED: I_D at 100C]
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum R_DS(on) at V_GS = 10V — 6.8 mOhm
Typical R_DS(on) at V_GS = 10V — 5.4 mOhm
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) range]
Total Gate Charge (Q_G) — 33 nC
Maximum Power Dissition (P_D) at T_C = 25C — 143 W
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes (PBF suffix)

Fiches techniques et ressources

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