IRLR3636TRLPBF vs IRLR3636TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLR3636TRLPBF por Infineon e IRLR3636TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLR3636TRLPBF IRLR3636TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,74 $2,38
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology IR HEXFET® (IR MOSFET™) IR HEXFET / IR MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) 50 A —
Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) 32 A [DATA_NEEDED: exact TC=100°C ID rating] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM rating] —
RDS(on) Max @ VGS=10V 6.8 mΩ —
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.5 V (logic-level) —
Total Gate Charge (QG) 33 nC —
Power Dissipation (PD, TC=25°C) 143 W —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C (TJ) -55C to +175C
Encapsulamento TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Avalanche Rated Yes (per Infineon datasheet family) —
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 60 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 25C — 50 A
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 100C — [DATA_NEEDED: I_D at 100C]
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum R_DS(on) at V_GS = 10V — 6.8 mOhm
Typical R_DS(on) at V_GS = 10V — 5.4 mOhm
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) range]
Total Gate Charge (Q_G) — 33 nC
Maximum Power Dissition (P_D) at T_C = 25C — 143 W
Status RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes (PBF suffix)

Fichas técnicas e recursos

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