IRLR7843TRPBF vs IRLR3114ZTRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLR7843TRPBF par Infineon et IRLR3114ZTRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLR7843TRPBF IRLR3114ZTRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,48 $0,46
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C 161 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 140 W —
On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=10V 3.3 mOhm —
On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=4.5V 4.5 mOhm (typ) —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) 34 nC 40 nC @ VGS=4.5 V
Gate-to-Source Voltage Max ±20 V —
Avalanche Energy (Eas) Fully characterized —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK) surface mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET HEXFET (IR MOSFET)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free) —
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) — 42 A
Continuous Drain Current (ID, Tc=100 C) — 30 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 130 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — 16 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.5 V (typ)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.5 mOhm
On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5V — 4.9 mOhm
Input Capacitance (Ciss) — 3.81 nF
Power Dissipation (Pd, Tc=25 C) — 140 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +175 C
Nombre de broches — 3 (2 + tab)
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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