IRLR7843TRPBF vs IRLR3114ZTRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLR7843TRPBF por Infineon e IRLR3114ZTRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLR7843TRPBF IRLR3114ZTRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,48 $0,46
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C 161 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 140 W —
On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=10V 3.3 mOhm —
On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=4.5V 4.5 mOhm (typ) —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) 34 nC 40 nC @ VGS=4.5 V
Gate-to-Source Voltage Max ±20 V —
Avalanche Energy (Eas) Fully characterized —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C —
Encapsulamento TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK) surface mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET HEXFET (IR MOSFET)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free) —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) — 42 A
Continuous Drain Current (ID, Tc=100 C) — 30 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 130 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — 16 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.5 V (typ)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.5 mOhm
On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5V — 4.9 mOhm
Input Capacitance (Ciss) — 3.81 nF
Power Dissipation (Pd, Tc=25 C) — 140 W
Temperatura de junção de operação — -55 C to +175 C
Número de pinos — 3 (2 + tab)
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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