IRLR7843TRPBF vs IRLR3636TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLR7843TRPBF par Infineon et IRLR3636TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLR7843TRPBF IRLR3636TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,48 $2,38
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C 161 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 140 W —
On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=10V 3.3 mOhm —
On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=4.5V 4.5 mOhm (typ) —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) 34 nC —
Gate-to-Source Voltage Max ±20 V —
Avalanche Energy (Eas) Fully characterized —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C -55C to +175C
Boîtier TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET IR HEXFET / IR MOSFET
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free) —
FET Type — N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 60 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 25C — 50 A
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 100C — [DATA_NEEDED: I_D at 100C]
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum R_DS(on) at V_GS = 10V — 6.8 mOhm
Typical R_DS(on) at V_GS = 10V — 5.4 mOhm
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) range]
Total Gate Charge (Q_G) — 33 nC
Maximum Power Dissition (P_D) at T_C = 25C — 143 W
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes (PBF suffix)

Fiches techniques et ressources

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