IRLR7843TRPBF vs IRLR3636TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRLR7843TRPBF por Infineon e IRLR3636TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRLR7843TRPBF IRLR3636TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,48 $2,38
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C 161 A —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 140 W —
On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=10V 3.3 mOhm —
On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=4.5V 4.5 mOhm (typ) —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) 34 nC —
Gate-to-Source Voltage Max ±20 V —
Avalanche Energy (Eas) Fully characterized —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C -55C to +175C
Encapsulamento TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET IR HEXFET / IR MOSFET
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free) —
FET Type — N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 60 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 25C — 50 A
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 100C — [DATA_NEEDED: I_D at 100C]
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum R_DS(on) at V_GS = 10V — 6.8 mOhm
Typical R_DS(on) at V_GS = 10V — 5.4 mOhm
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) range]
Total Gate Charge (Q_G) — 33 nC
Maximum Power Dissition (P_D) at T_C = 25C — 143 W
Status RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes (PBF suffix)

Fichas técnicas e recursos

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