IRS2104STRPBF vs IR2011STRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRS2104STRPBF par Infineon et IR2011STRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRS2104STRPBF IR2011STRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,45 $0,71
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Topologie Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Number of Channels 2 (HS + LS, dependent) —
High-Side Offset Voltage (VS) -5 V to +600 V —
Logic Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.6 A —
Propagation Delay (typ.) 150 ns 80 ns
Rise Time (typ.) 35 ns —
Fall Time (typ.) 70 ns —
Quiescent Current (typ.) 150 uA —
Undervoltage Protection Yes (VCC and VBS UVLO) —
Shutdown Pin Yes (SD, active-low per typical usage) —
Logic Input Compatibility Standard CMOS / LSTTL 3.0 V CMOS or LSTTL
Température de jonction en fonctionnement -40C to +150C —
Boîtier 8-Lead SOIC (SOIC-8) 8-SOIC (3.90 mm body width)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 2 (1 year floor life per datasheet) —
Qualification Level Industrial —
Statut RoHS Compliant (PbF suffix) —
Configuration — High-Side and Low-Side (Independent)
Number of Drivers — 2 (Half-Bridge)
Peak Source Current — 1 A (typical)
Peak Sink Current — 1 A (typical)
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Supply Voltage (VBS) — 10 V to 20 V (operational to +200 V)
Turn-On Rise Time (typ.) — 35 ns
Turn-Off Fall Time (typ.) — 20 ns
Offset Voltage Rating — 200 V
Negative Transient Tolerance — dV/dt immune
Température de fonctionnement — -40 C to +125 C
Lead-Free / RoHS — Lead-Free, RoHS Compliant

Fiches techniques et ressources

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