IRS2104STRPBF vs IR2011STRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRS2104STRPBF por Infineon y IR2011STRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRS2104STRPBF IR2011STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,45 $0,71
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Topología Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Number of Channels 2 (HS + LS, dependent) —
High-Side Offset Voltage (VS) -5 V to +600 V —
Logic Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.6 A —
Propagation Delay (typ.) 150 ns 80 ns
Rise Time (typ.) 35 ns —
Fall Time (typ.) 70 ns —
Quiescent Current (typ.) 150 uA —
Undervoltage Protection Yes (VCC and VBS UVLO) —
Shutdown Pin Yes (SD, active-low per typical usage) —
Logic Input Compatibility Standard CMOS / LSTTL 3.0 V CMOS or LSTTL
Temperatura de unión de funcionamiento -40C to +150C —
Encapsulado 8-Lead SOIC (SOIC-8) 8-SOIC (3.90 mm body width)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 2 (1 year floor life per datasheet) —
Qualification Level Industrial —
Estado RoHS Compliant (PbF suffix) —
Configuration — High-Side and Low-Side (Independent)
Number of Drivers — 2 (Half-Bridge)
Peak Source Current — 1 A (typical)
Peak Sink Current — 1 A (typical)
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Supply Voltage (VBS) — 10 V to 20 V (operational to +200 V)
Turn-On Rise Time (typ.) — 35 ns
Turn-Off Fall Time (typ.) — 20 ns
Offset Voltage Rating — 200 V
Negative Transient Tolerance — dV/dt immune
Temperatura de funcionamiento — -40 C to +125 C
Lead-Free / RoHS — Lead-Free, RoHS Compliant

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