IRS21091STRPBF vs IR2101STRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRS21091STRPBF par Infineon et IR2101STRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRS21091STRPBF IR2101STRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,65 $0,68
Configuration Half-Bridge Half-Bridge (High-Side and Low-Side), Independent
Number of Drivers 2 2
Driven Channels High-Side and Low-Side, Synchronous —
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET —
Logic Input Compatibility CMOS or LSTTL, down to 3.3 V 3.3 V / 5 V / 15 V CMOS/LSTTL
Output Polarity Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Channel Offset Voltage up to +600 V —
Negative Transient Tolerance Yes, dV/dt immune —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.6 A —
Propagation Delay (typ.) 750 ns —
Deadtime Control Programmable —
Shutdown Pin Yes —
Boîtier 8-SOIC (0.154", 3.90 mm width) 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width)
Packaging Tape & Reel —
Statut RoHS Compliant Compliant
Driver Type — Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (Typ.) — 210 mA
Sink Current (Typ.) — 360 mA
Propagation Delay (Typ.) — 160 ns
Rise Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: fall time]
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Negative Transient Immunity on VS — Yes (dV/dt immune)
Type de montage — Surface Mount
Température de fonctionnement — -40 C to +125 C
Niveau MSL — MSL 3

Fiches techniques et ressources

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