ISC008N06LM6ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC008N06LM6ATMA1 par Infineon et ISC015N06NM5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC008N06LM6ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,82 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 OptiMOS 5
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 44 A —
Pulsed Drain Current (ID, pulse) at Tc 378 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 221 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
RDS(on) max @ VGS=10 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10 V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic Level (1.0 V to 2.4 V typical) —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C (Tj) -55 C to +175 C
Package Type PG-TDSON-8 (Surface Mount) —
Style de montage Surface Mount, Tape & Reel —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS / Lead-Free Status RoHS Compliant, Lead-Free —
Sans halogène Yes —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
Boîtier — PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
Type de montage — Surface Mount
Technology — Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Statut RoHS — Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

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