ISC008N06LM6ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC008N06LM6ATMA1 por Infineon e ISC015N06NM5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISC008N06LM6ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,82 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 OptiMOS 5
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 44 A —
Pulsed Drain Current (ID, pulse) at Tc 378 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 221 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
RDS(on) max @ VGS=10 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10 V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic Level (1.0 V to 2.4 V typical) —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C (Tj) -55 C to +175 C
Package Type PG-TDSON-8 (Surface Mount) —
Estilo de montagem Surface Mount, Tape & Reel —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS / Lead-Free Status RoHS Compliant, Lead-Free —
Livre de halogênio Yes —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
Encapsulamento — PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
Tipo de montagem — Surface Mount
Technology — Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Status RoHS — Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

Fichas técnicas e recursos

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