ISC009N03LF2SATMA1 vs ISZ056N03LF2SATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC009N03LF2SATMA1 par Infineon et ISZ056N03LF2SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC009N03LF2SATMA1 ISZ056N03LF2SATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,48 $0,49
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS™ trench —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 43 A 16 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 341 A 72 A
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc 188 W 52 W
On-Resistance RDS(on) max 0.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V (typ) 2.35 V (typ)
Boîtier PG-TDSON-8-62 (SuperSO8 5x6) PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3x3.3 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C (junction, [DATA_NEEDED: exact operating range from datasheet]) -55 C to +175 C
Gate Drive Voltage (VGS) 10 V (typical for rated RDS(on)) —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — StrongIRFET 2
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: gate-source voltage max]
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 5.6 mOhm
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]

Fiches techniques et ressources

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