ISC009N06LM5ATMA1 vs ISC011N03L5SATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC009N06LM5ATMA1 par Infineon et ISC011N03L5SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 - 30V 100A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N03L5SATMA1 - 30V 100A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N03L5SATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC009N06LM5ATMA1 ISC011N03L5SATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,86 $0,47
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V
Technology OptiMOS 5 60V N-channel trench MOSFET OptiMOS 5 trench MOSFET
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 41 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 348 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS threshold typical] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 0.9 mOhm —
Power Dissipation at Ta (PD) 3 W —
Power Dissipation at Tc (PD) 214 W —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C —
Boîtier PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Statut RoHS Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C — 37 A
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 100 A
Power Dissipation (PD) @ Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) @ Tc=25C — 96 W
Température de fonctionnement — -55 C to +175 C (TJ)
Gate Drive — Logic-level compatible

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