ISC009N06LM5ATMA1 vs ISC011N03L5SATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: ISC009N06LM5ATMA1 제조: Infineon 및 ISC011N03L5SATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | ISC009N06LM5ATMA1 | ISC011N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.86 | $0.47 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V |
| Technology | OptiMOS 5 60V N-channel trench MOSFET | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 41 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 348 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] | — |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS threshold typical] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 0.9 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta (PD) | 3 W | — |
| Power Dissipation at Tc (PD) | 214 W | — |
| 동작 온도 범위 | -55 C to +175 C | — |
| 패키지 | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | — | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD) @ Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | — | 96 W |
| 동작 온도 | — | -55 C to +175 C (TJ) |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |