ISC011N03L5SATMA1 vs BSC011N03LSATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC011N03L5SATMA1 par Infineon et BSC011N03LSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 - 30V 100A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N03L5SATMA1 - 30V 100A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N03L5SATMA1 ✓ Actif
Infineon
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

BSC011N03LSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

BSC011N03LSATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC011N03L5SATMA1 BSC011N03LSATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,47 $0,54
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C 37 A —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 100 A —
Power Dissipation (PD) @ Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) @ Tc=25C 96 W —
Boîtier PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55 C to +175 C (TJ) —
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET —
Gate Drive Logic-level compatible —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Product Series — OptiMOS 30V
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 37 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 100 A (TC)
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 1.1 mOhm (typ)
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.2 V (typ 1.6 V)
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 96 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C

Fiches techniques et ressources

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