ISC011N03L5SATMA1 vs ISC009N06LM5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC011N03L5SATMA1 par Infineon et ISC009N06LM5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
ISC011N03L5SATMA1 ISC011N03L5SATMA1 - 30V 100A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N03L5SATMA1 - 30V 100A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC011N03L5SATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC011N03L5SATMA1 ISC009N06LM5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,47 $2,86
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V OptiMOS 5
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C 37 A —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 100 A —
Power Dissipation (PD) @ Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) @ Tc=25C 96 W —
Boîtier PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55 C to +175 C (TJ) —
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET OptiMOS 5 60V N-channel trench MOSFET
Gate Drive Logic-level compatible —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 41 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 348 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS maximum rating]
Gate-Source Threshold (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS threshold typical]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 0.9 mOhm
Power Dissipation at Ta (PD) — 3 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 214 W
Plage de température de fonctionnement — -55 C to +175 C

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