ISC011N03L5SATMA1 vs ISC009N06LM5ATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок ISC011N03L5SATMA1 от Infineon и ISC009N06LM5ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | ISC011N03L5SATMA1 | ISC009N06LM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,47 | $2,86 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V | OptiMOS 5 |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | 37 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | 100 A | — |
| Power Dissipation (PD) @ Ta=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | 96 W | — |
| Корпус | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Рабочая температура | -55 C to +175 C (TJ) | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | OptiMOS 5 60V N-channel trench MOSFET |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Уровень MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 41 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 348 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS threshold typical] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 0.9 mOhm |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 214 W |
| Диапазон рабочих температур | — | -55 C to +175 C |