ISC015N04NM5ATMA1 vs IAUC100N04S6L025ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de ISC015N04NM5ATMA1 par Infineon et IAUC100N04S6L025ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | ISC015N04NM5ATMA1 | IAUC100N04S6L025ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,98 | $0,62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 40V Normal Level | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench MOSFET) | OptiMOS 6 40V trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.4 V (typ) | — |
| R_DS(on) max | 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 33 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 206 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] | [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 115 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5) | — |
| Boîtier / Format | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 8 | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 (per Infineon SuperSO8 family) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Drive Level | Normal Level (VGS(th) ~3.4 V) | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 2.5 mOhm |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 62 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 C to +175 C |
| Boîtier | — | PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Lead-Free | — | Yes |