ISC015N04NM5ATMA1 vs ISC0703NLSATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de ISC015N04NM5ATMA1 par Infineon et ISC0703NLSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | ISC015N04NM5ATMA1 | ISC0703NLSATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,98 | $0,51 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 40V Normal Level | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench MOSFET) | Trench MOSFET (OptiMOS family) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 60 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.4 V (typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] |
| R_DS(on) max | 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 33 A | 13 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 206 A | 57 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 115 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5) | -55C to +150C (junction) |
| Boîtier / Format | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 8 | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 (per Infineon SuperSO8 family) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Drive Level | Normal Level (VGS(th) ~3.4 V) | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 44 W |
| Boîtier | — | PG-TDSON-8 (5x6 mm) |
| Standard Package Quantity | — | 5,000 (reel) |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Avalanche Energy (EAS) | — | [DATA_NEEDED: EAS rating] |