ISC015N04NM5ATMA1 vs ISC0703NLSATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок ISC015N04NM5ATMA1 от Infineon и ISC0703NLSATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
ISC015N04NM5ATMA1 ISC015N04NM5ATMA1 - 40V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N04NM5ATMA1 - 40V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

ISC015N04NM5ATMA1 ✓ Активен
Infineon
ISC0703NLSATMA1 ISC0703NLSATMA1 - 60V N-Ch MOSFET, 57A, PG-TDSON-8 | Infineon

ISC0703NLSATMA1 - 60V N-Ch MOSFET, 57A, PG-TDSON-8 | Infineon

ISC0703NLSATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр ISC015N04NM5ATMA1 ISC0703NLSATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,98 $0,51
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 40V Normal Level —
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench MOSFET) Trench MOSFET (OptiMOS family)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 60 V
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.4 V (typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
R_DS(on) max 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 33 A 13 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 206 A 57 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 115 W —
Диапазон рабочих температур -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5) -55C to +150C (junction)
Корпус / Типоразмер PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Число выводов 8 —
Статус RoHS Compliant Compliant
Уровень MSL 1 (per Infineon SuperSO8 family) [DATA_NEEDED: MSL level]
Drive Level Normal Level (VGS(th) ~3.4 V) —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 44 W
Корпус — PG-TDSON-8 (5x6 mm)
Standard Package Quantity — 5,000 (reel)
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS rating]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену