ISC015N06NM5LF2ATMA1 vs IPT008N06NM5LFATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de ISC015N06NM5LF2ATMA1 par Infineon et IPT008N06NM5LFATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
ISC015N06NM5LF2ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 Linear FET | Infineon
ISC015N06NM5LF2ATMA1 ✓ ActifInfineon
IPT008N06NM5LFATMA1 - 60V 454A 0.8mΩ N-Ch MOSFET HSOF-8 | Infineon
IPT008N06NM5LFATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | ISC015N06NM5LF2ATMA1 | IPT008N06NM5LFATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,21 | $5,40 |
| Technology | OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel) | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 32 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 275 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 217 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 1.55 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) | 1.3 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3 V | — |
| Gate-Source Voltage Rating | ±20 V | — |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | 1.3 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 6.9 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 1.3 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 55 pF | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 90 nC | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8 FL (5x6 mm) | PG-HSOF-8 (single, flat-lead) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS 5 / Linear FET |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 454 A |
| Courant de drain pulsé | — | [DATA_NEEDED: pulsed ID] |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V | — | 0.8 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) | — | 3.6 V (typ, 250 µA test) |
| Power Dissipation (Tc) | — | 278 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Gate Drive (recommended) | — | 10 V (logic-level compatible above 4.5 V VGS) |
| Niveau MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| REACH Status | — | Compliant |
| AEC-Q100 | — | not_qualified (industrial-grade by default) |