ISC015N06NM5LF2ATMA1 vs IPT008N06NM5LFATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: ISC015N06NM5LF2ATMA1 제조: Infineon 및 IPT008N06NM5LFATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 ISC015N06NM5LF2ATMA1 IPT008N06NM5LFATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.21 $5.40
Technology OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel) Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 32 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 275 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 217 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 1.55 mΩ —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) 1.3 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3 V —
Gate-Source Voltage Rating ±20 V —
Reverse Recovery Charge (Qrr) 1.3 nC —
Input Capacitance (Ciss) 6.9 nF —
Output Capacitance (Coss) 1.3 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 55 pF —
Total Gate Charge (Qg) 90 nC —
동작 접합 온도 -55 °C to +175 °C —
패키지 PG-TDSON-8 FL (5x6 mm) PG-HSOF-8 (single, flat-lead)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 5 / Linear FET
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 454 A
펄스 드레인 전류 — [DATA_NEEDED: pulsed ID]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V — 0.8 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — 3.6 V (typ, 250 µA test)
Power Dissipation (Tc) — 278 W
동작 온도 범위 — -55 °C to +175 °C (TJ)
Gate Drive (recommended) — 10 V (logic-level compatible above 4.5 V VGS)
MSL 레벨 — 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS 상태 — Compliant
REACH Status — Compliant
AEC-Q100 — not_qualified (industrial-grade by default)

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