ISC015N06NM5LF2ATMA1 vs IPT015N10NF2SATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de ISC015N06NM5LF2ATMA1 par Infineon et IPT015N10NF2SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
ISC015N06NM5LF2ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 Linear FET | Infineon
ISC015N06NM5LF2ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | ISC015N06NM5LF2ATMA1 | IPT015N10NF2SATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,21 | $3,10 |
| Technology | OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel) | OptiMOS trench, N-channel enhancement |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 32 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 275 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 217 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 1.55 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) | 1.3 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3 V | — |
| Gate-Source Voltage Rating | ±20 V | — |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | 1.3 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 6.9 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 1.3 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 55 pF | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 90 nC | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8 FL (5x6 mm) | PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS | Compliant | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 315 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 35 A |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 1.5 mΩ |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | 3.8 V at 267 µA |
| Total Power Dissipation (Ta) | — | 3.8 W |
| Total Power Dissipation (Tc) | — | 300 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C |
| Gate Drive Voltage (typ) | — | 10 V |
| Énergie d'avalanche à impulsion unique | — | [DATA_NEEDED: EAS value] |
| Statut RoHS | — | Compliant |