ISC019N08NM7ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC019N08NM7ATMA1 par Infineon et ISC151N08NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC019N08NM7ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,18 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 7 —
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 7) OptiMOS 6
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
Drain Current (ID), TC=25°C 209 A —
Drain Current (ID), TA=25°C 26 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max] —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 1.9 mΩ —
Power Dissipation (PD), TC=25°C 188 W —
Power Dissipation (PD), TA=25°C 3 W (6 cm² FR4) —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Boîtier PG-TDSON-8-43 (SuperSO8) PG-TDSON-8 FL
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Sans halogène Yes —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Gate Threshold VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge QG [DATA_NEEDED: QG] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (TA=25°C) — 9.2 A
Courant de drain continu (TC=25°C) — 37 A
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 48 W
On-Resistance RDS(on) max — 15.1 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.5 V
Nombre de broches — 8
Channel Mode — Enhancement
Température de fonctionnement — -55 °C to +175 °C

Fiches techniques et ressources

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