ISC019N08NM7ATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC019N08NM7ATMA1 por Infineon e ISC151N08NM6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro ISC019N08NM7ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,18 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 7 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 7) OptiMOS 6
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
Drain Current (ID), TC=25°C 209 A —
Drain Current (ID), TA=25°C 26 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max] —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 1.9 mΩ —
Power Dissipation (PD), TC=25°C 188 W —
Power Dissipation (PD), TA=25°C 3 W (6 cm² FR4) —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +175 °C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-43 (SuperSO8) PG-TDSON-8 FL
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Livre de halogênio Yes —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Gate Threshold VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge QG [DATA_NEEDED: QG] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (TA=25°C) — 9.2 A
Corrente de dreno contínua (TC=25°C) — 37 A
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 48 W
On-Resistance RDS(on) max — 15.1 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.5 V
Número de pinos — 8
Channel Mode — Enhancement
Temperatura de operação — -55 °C to +175 °C

Fichas técnicas e recursos

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