ISC046N13NM6ATMA1 vs ISC015N04NM5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC046N13NM6ATMA1 par Infineon et ISC015N04NM5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
ISC046N13NM6ATMA1 ISC046N13NM6ATMA1 - 135V N-Ch MOSFET 142A | Infineon

ISC046N13NM6ATMA1 - 135V N-Ch MOSFET 142A | Infineon

ISC046N13NM6ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC046N13NM6ATMA1 ISC015N04NM5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,08 $0,98
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 6 —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 135 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA 17 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 142 A —
Power Dissipation (PD) at TA 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC 211 W —
Boîtier / Format PG-TDSON-8 PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5)
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET OptiMOS 5 (trench MOSFET)
Gate Drive (recommended) 10 V (typical) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel —
Series — OptiMOS 5 40V Normal Level
FET Type — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.4 V (typ)
R_DS(on) max — 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 33 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 206 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating]
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 115 W
Nombre de broches — 8
Niveau MSL — 1 (per Infineon SuperSO8 family)
Drive Level — Normal Level (VGS(th) ~3.4 V)

Fiches techniques et ressources

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