ISC046N13NM6ATMA1 vs ISC015N04NM5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC046N13NM6ATMA1 por Infineon e ISC015N04NM5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
ISC046N13NM6ATMA1 ISC046N13NM6ATMA1 - 135V N-Ch MOSFET 142A | Infineon

ISC046N13NM6ATMA1 - 135V N-Ch MOSFET 142A | Infineon

ISC046N13NM6ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro ISC046N13NM6ATMA1 ISC015N04NM5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,08 $0,98
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 6 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 135 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TA 17 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 142 A —
Power Dissipation (PD) at TA 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC 211 W —
Encapsulamento / Caixa PG-TDSON-8 PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5)
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET OptiMOS 5 (trench MOSFET)
Gate Drive (recommended) 10 V (typical) —
Status RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel —
Series — OptiMOS 5 40V Normal Level
FET Type — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.4 V (typ)
R_DS(on) max — 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 33 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 206 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating]
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 115 W
Contagem de pinos — 8
Nível MSL — 1 (per Infineon SuperSO8 family)
Drive Level — Normal Level (VGS(th) ~3.4 V)

Fichas técnicas e recursos

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