ISC046N13NM6ATMA1 vs ISC0805NLSATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de ISC046N13NM6ATMA1 par Infineon et ISC0805NLSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | ISC046N13NM6ATMA1 | ISC0805NLSATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,08 | $0,82 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 6 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 135 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 17 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 142 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 3 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | 211 W | 74 W |
| Boîtier / Format | PG-TDSON-8 | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +175 C | -55 °C to +150 °C |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | — |
| Gate Drive (recommended) | 10 V (typical) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Product Family | — | OptiMOS™ 5 |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 13 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 71 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 10.7 mΩ at 4.5V VGS; [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | 10.7 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.3 V |
| Gate Charge Qg typ at VGS=4.5V | — | 16 nC |
| Input Capacitance Ciss | — | 2.2 nF |
| Reverse Transfer Capacitance Crss | — | 23 pF |
| Output Capacitance Coss | — | 360 pF |
| Boîtier | — | PG-TDSON-8-46 (SuperSO8 5x6) |