ISC052N03LF2SATMA1 vs ISC028N03LF2SATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC052N03LF2SATMA1 par Infineon et ISC028N03LF2SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC052N03LF2SATMA1 ISC028N03LF2SATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,35 $0,86
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 30V —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 74 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 5.2 mΩ 2.8 mOhm
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 52 W —
Boîtier PG-TDSON-8-62 (TDSON EP) PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55°C to +150°C —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5) —
Polarity N-Channel —
Nombre de broches 8 —
Statut RoHS Compliant —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Product Family — OptiMOS 5 30V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 128 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.35 V
Power Dissipation at TA — 3 W
Power Dissipation at TC — 83 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +175 C
RoHS / Lead-Free — Yes (RoHS compliant)

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis