ISC052N03LF2SATMA1 vs ISZ033N03LF2SATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de ISC052N03LF2SATMA1 par Infineon et ISZ033N03LF2SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | ISC052N03LF2SATMA1 | ISZ033N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,35 | $0,68 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 30V | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 18 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 74 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 5.2 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 52 W | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-62 (TDSON EP) | PG-TSDSON-8 FL (8-pin) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +150°C | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 5) | OptiMOS 5 |
| Polarity | N-Channel | — |
| Nombre de broches | 8 | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 20 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 109 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 71 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.35 V max @ 30 uA |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 C to +175 C |