ISC080N10NM6ATMA1 vs IAUT300N08S5N012ATMA2 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de ISC080N10NM6ATMA1 par Infineon et IAUT300N08S5N012ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | ISC080N10NM6ATMA1 | IAUT300N08S5N012ATMA2 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,05 | $2,20 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS™ 6 100V | OptiMOS™-5 80 V |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 13 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 75 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | 1200 A (per datasheet, typical) |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 100 W | — |
| On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A | 8.05 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.3 V at 36 µA | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8 FL (TDSON EP) | PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet) | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Qualification | Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family) | — |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 300 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.2 mΩ |
| Maximum Power Dissipation (PD, Tc) | — | 375 W |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| RoHS Compliance | — | Compliant |