ISC080N10NM6ATMA1 vs IAUT300N08S5N012ATMA2 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок ISC080N10NM6ATMA1 от Infineon и IAUT300N08S5N012ATMA2 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
ISC080N10NM6ATMA1 ISC080N10NM6ATMA1 - 100V OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

ISC080N10NM6ATMA1 - 100V OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon

ISC080N10NM6ATMA1 ✓ Активен
Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUT300N08S5N012ATMA2 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр ISC080N10NM6ATMA1 IAUT300N08S5N012ATMA2
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,05 $2,20
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS™ 6 100V OptiMOS™-5 80 V
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 75 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 1200 A (per datasheet, typical)
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 100 W —
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V, ID=20A 8.05 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.3 V at 36 µA —
Корпус PG-TDSON-8 FL (TDSON EP) PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур -55°C to +175°C (TJ max, per datasheet) -55 °C to +175 °C (TJ)
Уровень MSL 1 (per JEDEC J-STD-020, per datasheet) [DATA_NEEDED: MSL level]
Статус RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Без галогенов Yes —
Qualification Industrial grade (per Infineon OptiMOS 6 100V family) —
Тип транзистора — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 300 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.2 mΩ
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) — 375 W
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance — Compliant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену